La multinacional coreana, el mayor productor mundial de memoria DRAM, ha comunicado el inicio de la fabricación en masa de chips de memorias GDDR5 en procesos de 50 nanómetros. Los nuevos chips podrán alcanzar frecuencias de 7 GHz con un ancho de banda sin precedentes de 448 GB/s, en interfaces de 512 bits

El paso a procesos de fabricación de 50 nanómetros permite además, reducir el consumo de los chips a 1,35 voltios. Otra de las ventajas es la reducción de costes, aumentando la eficiencia de la producción hasta en un 100% frente a procesos de 60 nanómetros, señalan desde Samsung.

Los chips GDDR5 a 7GHz proporcionarán un ancho de banda máximo de 224/448 GB/s con interfaces de memoria de 256 y 512 bits respectivamente.

No se conoce los modelos de tarjetas gráficas de ATI o NVIDIA que utilizarán los módulos de Samsung, aunque se podrían incorporar a los próximos desarrollos de gama alta que llegarán a finales de año, señalan en X-Bit Labs.

En Samsung apuestan fuerte y junto a las nuevas GDDR5 para gráficas, se une la reciente validación de los primeros chips DRAM en procesos de 40 nanómetros, que abren el camino a la producción de memoria RAM de ultra-alto rendimiento DDR4.

Fuente: XBitLabs